SJ 50033.71-1995 半导体分立器件.PIN342型PIN二极管详细规范
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ID： |
1E3184DC334343279E634C1318DA5D13 |
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文件大小(MB)： |
0.35 |
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页数： |
8 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/71-1995,半导体分立器件,PIN342型PIN二极管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail speciHcation of type PIN342 series for PIN diode,1995-05-25 发布 !995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,PIN342型PIN二极管详细规范,50033/71-1995,Semiconductor discrete device,Detail specification of type PIN342 series for PIN diode,1范围,1.I 主题内容,本丒范规定了 PIN 342型PIN二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1,3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级。分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 6570—86微波二极管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,GJB 1557-92半导体分立器件 微波二极管外形尺寸,3要求,3.I 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端上电极为铁银钻合金,下电极为铜,表面涂层应为金,3.2.2 器件结构,外延台面、玻璃钝化、多层金属化电极、芯片上引线采用金丝热压焊,芯片下电极与管座烧,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995 12-0I 实施,SJ 50033/71-1995,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GJB 1557的W8 - 02型,见图1,mm,F二:,号W8 - 02,符,寸,MIN MAX,虹） 2.54 2.66,杷1 1.72 1.88,極0.94 1.00,H 2.80 3.60,H1 L5O 2.10,C 0.60 。期,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号,Vr,(V),Tap,(V) ヤ）,FIN 342 300 -55-125 -65-175,3.3.2 主要电特性（丁ん=25セ）,2,SJ 50033/71-1995,、限、 ヤ,Ir,Vr-300V,(mA),r,100 n)A,产 lOkHi,⑻,C?,= 50V,/= 1MHz,(pF),ス,ム=iOniA,レ=100mA,(ns),Z⑹t,脉宽!0ms,加热电流,0,5A,(V/W) (pF),Ls,(nH),シ,/= 100MHz,Ip- 100mA,n,最大值,最小值,最大值,最小值,最大值,最小值,最大值,典型值み型值典型值典型值,PIN 342 — 5 一1 0.23 0.50 — 150 66 0.36 0.28 1.8,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6570及本规范的规定,3.5 标志,包装盒上的标志应符合GJB 33的规定。器件上不打标志,极性按图1的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,ft 选试验方法,GJB 128 测试和试验,(见 GJB 33 表 2) 方 法,3热冲击1051 除循环20次外,其余同试验条件F,4恒定加速度,■,不要求,5密封,a.细检漏不要求,7中间测试小、。丒、ア,8电老化见4.3.1,9最后测试丨厶“W0.15Q,14ctJ く 0.02pF,其他参数;按本规范表1和A2分组,4.3.1 电老化,Ta = 1501c JF = 20mA（直流）o,4.4 质量一致性检验,4.4.1 A组检验,A组检脸应按GJB 33和本规范表1的规定进行,3,SJ 5皿33/71 —1995,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试脸方法,检验和试验方法应按本规范相应的表的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 6570,LTPD 符，号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,AI分组,外观和机械试验,GJB 128,2071,5,A2分组,总电容,反向电流,正向微分电阻,8N,3.2,8.3,VR T 50V,尸 !MHz,330 QV,% 二 100mA,/=10kHz,5,Ctot,r,0.23 0.50,5,1,PF,pA,n,A3分组,高温工作,反向电流,低温工作,反向电流,3.2,3.2,77二125 匕,33MV,T『ー 55匕,VR エ 300V,5,/r,JE,10,1,；＜A,设,A4分组,反向恢复时间8,5 Ip~ 10mA,iR= 100mA,5,J 150 ns,表2 B组检验,检验或试验,GJB 128,LTPD,方 法条 件,B2分组,热冲击（温度循环）,密封,粗检漏,最后测试:,1051,1071,试験条件F-1,“极限值）》IQmin,试验条件C,见……
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